Mask pattern design method and manufacturing method of a semiconductor device using the same

マスクパターン設計時の光近接補正（ＯＰＣ）処理に要する時間を削減する。 予めＯＰＣ処理が施されたセルｃｅｌｌをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、上記ＯＰＣの補正量を微調整する際に、各セルｃｅｌｌにおいて、自らのアジャスタブル領域と、それに隣接する他のセルｃｅｌｌのサラウンディング領域とが重なる領域についてだけ、その微調整のための計算をする。 これにより、ＯＰＣ図形を微調整するための範囲（計算を必要とする領域の面積）を小さくすることができる。 このため、マスクパターンの設計を効率的に行うことができるので、マスクパターンの設計のための処理時間および処理コストを大幅に削減できる。