Procede pour generer des defauts dans une structure de grille d'un materiau semi-conducteur

Pour qu'il soit possible, de facon simple et economique, de commander avec precision la formation de defauts de grille dans un materiau semi-conducteur, il est propose, selon l'invention, de mettre en oeuvre un procede permettant de generer des defauts dans une structure de grille d'un materiau semi-conducteur, pendant le traitement thermique de celui-ci. Selon ledit procede la concentration et/ou la repartition de defauts ou de lacunes est obtenue en fonction d'une atmosphere gazeuse de processus.