スイッチング素子、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子

本発明のスイッチング素子は、金属イオンが伝導可能なイオン伝導層４０と、イオン伝導層４０に接するように設けられた第１電極２１および第２電極３１と、イオン伝導層４０に接して設けられ、金属イオンを供給可能な第３電極３５とを有し、第１電極２１のイオン伝導層４０に接する面積が第２電極３１のイオン伝導層４０に接する面積よりも小さい構成である。このような構成にすることで、オフ状態のリーク電流が低減する。