Croissance par mocvd de matériaux de canal cmos iii-v à désaccord de réseau élevé sur des substrats de silicium

Des modes de realisation, l'invention concerne de maniere generale un dispositif a semi-conducteur comprenant des couches de materiaux a semi-conducteur du groupe III-V. Dans un mode de realisation, le dispositif a semi-conducteur comprend une couche contenant du phosphore deposee sur un substrat de silicium, la couche contenant du phosphore comprenant un desaccord de reseau inferieur a 5 % du substrat de silicium ; une couche de nucleation de compose du groupe III-V deposee sur la couche contenant du phosphore a une premiere temperature et presentant une premiere epaisseur ; une couche de transition de compose du groupe III-V deposee sur la couche de nucleation de groupe III-V a une seconde temperature plus elevee que la premiere temperature, la couche de transition de compose du groupe III-V presentant une seconde epaisseur plus importante que la premiere epaisseur, et la couche de nucleation de compose du groupe III-V etant differente de la couche de transition de compose du groupe III-V ; et une couche active deposee sur la couche de transition de groupe III-V.