脉冲激光沉积制备SrSn1-xCoxO3外延薄膜的微结构表征及能带调控（英文）

钙钛矿结构SrSnO3因其独特的介电和半导体性质而备受关注,通过掺杂可显著调控其电学、磁学性能,拓宽其应用范围。本研究在单晶SrTiO3（001）衬底上通过脉冲激光方法外延生长了SrSn1-xCoxO3（x=0,0.16,0.33,0.5）（SSCO）薄膜,探究了Co含量对薄膜结晶性、微观结构、光学性能以及介电性能的影响。结果表明,SrSn1-xCoxO3薄膜可在Sr Ti O3（001）衬底上外延生长,Co掺杂不会导致薄膜结晶质量的劣化。薄膜表面形貌平整、致密,膜厚200 nm,表面粗糙度为0.44 nm。随薄膜中Co掺杂量增加,薄膜透过率从90%降至25%,光学带隙从4.24 e V降至2.44 e V。介电性能测试表明,掺杂薄膜在106Hz时介电常数为70.1,比无掺杂SrSnO3薄膜提高57%。室温时SSCO薄膜表面电阻率为172 MΩ,在1000℃范围内薄膜结构稳定。