Method of forming a layer band method of manufacturing a semiconductor device using the same

막 형성 방법에서, 챔버 내에 기판을 로딩하여 기준 각도로 배치시키고, 기판의 제1 가장자리로부터 소스 가스를 제공하고, 챔버를 퍼지(purge)하고, 기판의 제1 가장자리로부터 반응 가스를 제공하고, 챔버를 퍼지하는 것을 포함하는 하나의 싸이클(cycle)을 n회(n은 1보다 큰 자연수) 수행하고, 그리고 기판을 기준 각도에서 x도만큼 회전시킨 상태에서, 싸이클을 m회(m은 n보다 작은 자연수) 수행한다.