Verfahren zum Herstellen von lateral isolierten Siliciumbereichen

Bei dem Verfahren zum Herstellen von lateral isolierten Siliciumbereichen in einem Siliciumkorper werden mittels reaktiven lonenatzens unter Einhaltung festgelegter Drucke, Konzentrationen des reaktiven Gases, Leistungsdichten und Atzgeschwindigkeiten und unter Anwendung einer Maske aus Si0 2 Nuten geatzt, welche sich mit der Tiefe verjungen und einen flachen Boden aufweisen. Dann werden mittels einer thermischen Oxidation die Nuten mit einer dunnen Si0 2 -Schicht uberzogen, und anschliessend wird Si0 2 ganzflachig in einer durch die Nutbreite bestimmten Dicke abgeschieden, wobei die Nuten vollstandig gefullt werden. Schliesslich wird das ausserhalb der Nuten aufgebrachte Si0 2 weggeatzt. Enthalt der Siliciumkorper eine hochdotierte Schicht, welche bei der Bildung der Nuten durchgeatzt wird, wird eine Unteratzung dadurch verhindert, dass beim reaktiven lonenatzen bei einem besonders niedrigen Gesamtdruck und/oder einer besonders niedrigen Konzentration des reaktiven Gases gearbeitet wird. In den isolierten Siliciumbereichen konnen beispielsweise Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren und Widerstande gebildet werden.