1．3μmAlGaInAs／InP量子阱激光器材料研究

设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1．3μm量子阱激光器材料，并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生长了AlGaInAs／InP应变补偿量子阱材料，采用此外延材料制作的脊宽为2．5μm脊形波导结构FP单模激光器芯片，解理为250，500和750μm不同腔长，进行了内部参数提取，内量子效率功为76％、内损耗a．为7．06／cm、模式增益几，为81．90／cm、透明电流密度Jtr为1045A／cm^2。对250μm腔长管芯镀膜，进行电光特性测试，室温性能指标为：阈值电流Ith〈10mA，斜率效率η=0．6W／A，达到国际同类产品水平，实现1．3弘mFP材料国产化。