多囊卵巢综合征患者子宫内膜“植入窗”期凋亡基因的表达及定位研究

目的探讨多囊卵巢综合征（Polycystic ovarian syndrome,PCOS）患者子宫内膜＂植入窗＂期凋亡相关基因的差异性,并对部分基因进行了定位研究。方法将PCOS患者和对照组各6例共分为3组,分别取＂植入窗＂期的子宫内膜组织,应用基因芯片技术,检测其差异表达基因,对芯片数据进行处理和生物信息学分析,得到了差异表达的凋亡基因,并对下调的Fas相关死亡结构域蛋白（Fas-associated death domainprotein,FADD）基因运用反转录-PCR及免疫组织化学方法对进行了表达及定位研究。结果 PCOS 3组中均明显差异表达的基因有194条,有9条为凋亡相关基因,其中5个上调,4个下调;免疫组织化学研究发现,FADD免疫阳性物质位于PCOS患者＂植入窗＂期子宫内膜腺上皮细胞的细胞浆内。结论 PCOS患者＂植入窗＂期子宫内膜部分凋亡基因表达紊乱,是影响其植入率的原因之一。