压电体薄膜、压电体及其制造方法、以及压电体谐振子

本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。