Procédé destiné à produire un mélange de divers types de cristaux de semiconducteur de type ii-vi

L'invention concerne un procede destine a produire un melange de divers types de cristaux d'un semiconducteur de type II-VI. On peut doper le melange a la demande avec un activateur, afin de produire un materiau fluorescent qui presente une luminance elevee et une grande efficacite energetique. Le procede, qui est destine a produire un melange de divers types de cristaux d'un semiconducteur de type II-VI, consiste a appliquer une pression d'impact de 0,1 GPa ou superieure a un semiconducteur de type II-VI a systeme hexagonal II-VI ou a appliquer une pression d'impact de 10 GPa ou superieure a un semiconducteur de type II-VI a systeme cubique.