Ion implanter, filter chamber and implantation method using an energy filter element

Verfahren, das aufweist: Bestrahlen eines Halbleiterwafers (8) mit einem durch ein Implantationsfilter (6) gehenden Ionenstrahl (2), wobei der Ionenstrahl (2) in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung elektrostatisch abgelenkt wird, um den Ionenstrahl (2) uber den Halbleiterwafer (8) zu bewegen, und wobei das Implantationsfilter (6) in der zweiten Richtung abgestimmt auf die Bewegung des Ionenstrahls (2) bewegt wird.