重合性モノマー、高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法

【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とする重合性モノマー。 （式中、Ｒ 1 は、水素原子又はメチル基である。Ｒ 2 は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ 3 は、酸不安定基である。ｍは、１〜４の整数である。） 【効果】本発明の重合性モノマーを（共）重合して得られる高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超ＬＳＩ製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料等として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 【選択図】なし