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電子線照射された高移動度金属‐酸化物‐シリコントランジスタにおける浅いSi/SiO2界面トラップのアニーリング
電子線照射された高移動度金属‐酸化物‐シリコントランジスタにおける浅いSi/SiO2界面トラップのアニーリング
2017
Kim J.-S.
A.M. Tyryshkin
S.A. Lyon
Keywords:
Optics
Computational physics
Physics
Engineering physics
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