GaNエピタキシャル基板、半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法
2007
【課題】歩留まりの向上が図られたGaNエピタキシャル基板、またこのGaNエピタキシャル基板を用いた半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】GaNエピタキシャル基板51の製造方法は、下地基板10の上に第1GaN層11をエピタキシャル成長させる第1GaN層形成工程と、第1GaN層形成工程の後に、下地基板10の上面に凹部10aを形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、第1GaN層11a上に第2GaN層12をエピタキシャル成長させる第2GaN層形成工程と、を有するため、クラックの発生が抑制され、歩留まりが向上する。 【選択図】図1
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