ＧａＮエピタキシャル基板、半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法

【課題】歩留まりの向上が図られたＧａＮエピタキシャル基板、またこのＧａＮエピタキシャル基板を用いた半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】ＧａＮエピタキシャル基板５１の製造方法は、下地基板１０の上に第１ＧａＮ層１１をエピタキシャル成長させる第１ＧａＮ層形成工程と、第１ＧａＮ層形成工程の後に、下地基板１０の上面に凹部１０ａを形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、第１ＧａＮ層１１ａ上に第２ＧａＮ層１２をエピタキシャル成長させる第２ＧａＮ層形成工程と、を有するため、クラックの発生が抑制され、歩留まりが向上する。 【選択図】図１