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Acemap > Paper > メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 (シリコン材料・デバイス)

メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 (シリコン材料・デバイス)

2015 
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