检测痕量Hg^2＋的DNA电化学生物传感器

通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富T序列DNA分子（DNA-Fc）固定在金电极表面,得到了一种基于DNA修饰电极的电化学汞离子（Hg2＋）传感器.当溶液中有Hg^2＋存在时,Hg^2＋可与修饰电极上DNA的T碱基发生较强的特异结合,形成T-Hg2＋-T发卡结构,使DNA分子构象发生改变,其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面,电化学响应随之发生变化.示差脉冲伏安法（DPV）结果显示：DNA末端二茂铁基团的还原峰在0.26V（vs饱和甘汞电极（SCE））附近,峰电流随溶液中Hg2＋浓度的增加而降低;Hg^2＋浓度范围在0.1nmol·L^-1-1μmol·L^-1时,电流相对变化率与Hg2＋浓度的对数呈现良好的线性关系.该修饰电极对Hg2＋的检测限为0.1nmol·L^-1,可作为痕量Hg2＋检测的电化学生物传感器.干扰实验也表明,该传感器对Hg2＋具有良好的特异性与灵敏度.