Procédé de fabrication d'une cellule solaire photovoltaïque

La presente invention concerne un procede de fabrication d'une cellule solaire photovoltaique comprenant les etapes suivantes : A. Texturer une face avant (2) d'un substrat semi-conducteur dope avec un type de dopage de base, B. Produire au moins une structure de dopage selectif sur la face avant (2) du substrat semi-conducteur par creation, sur la face avant (2), d'une region de faible dopage plane (4) presentant un premier profil de dopage dans le substrat semi-conducteur, et par creation, dans la premiere region de faible dopage, d'au moins une region de fort dopage local presentant un second profil de dopage, la region de faible dopage (4) et la region de fort dopage etant respectivement d'un type de dopage d'emetteur, oppose au type de dopage de base, la region de fort dopage etant concue avec une plus faible resistance de ligne transversale que la region de faible dopage, et C. Appliquer au moins une structure de contact d'emetteur metallique sur la face avant (2) du substrat semi-conducteur, eventuellement sur d'autres couches intermediaires, au moins dans les regions de fort dopage local, laquelle structure de contact d'emetteur est reliee de maniere electroconductrice a la region de fort dopage, puis appliquer au moins une structure de contact de base metallique sur la face arriere du substrat semi-conducteur, eventuellement sur d'autres couches intermediaires, laquelle structure de contact de base est reliee de maniere electroconductrice a une region du substrat semi-conducteur a dopage de base. Il est essentiel qu'entre les etapes B et C du procede, eventuellement par l'ajout d'autres etapes intermediaires, une couche d'oxyde de silicium (5a, 5b) soit respectivement et simultanement produite par oxydation thermique dans une etape de procede B1 sur la face avant et la face arriere du substrat semi-conducteur, au moins la couche d'oxyde de silicium de la face avant presentant une epaisseur inferieure a 150 nm.