Procédé pour la croissance d'épitaxie de couches semi-conductrices et support pour la croissance de couches semi-conductrices

L'invention concerne un procede pour la croissance d'epitaxie de couches semi-conductrices. Selon ledit procede, dans une premiere etape, un support (1) est fourni. Dans une etape B, au moins un substrat (2) est applique sur ledit support (1). En outre, dans une etape C, un processus d'epitaxie est mis en œuvre, au cours duquel intervient la croissance epitaxiale d'un empilement de couches semi-conductrices (20) sur une face principale du substrat (2) opposee au support (1). L'empilement de couches semi-conductrices (20) dont la croissance est terminee emet en mode de fonctionnement conforme de rayonnement electromagnetique. Dans une autre etape D, un processus de mesure de temperature est conduit, au cours duquel est determine un profil de temperature (3) du substrat (2), qui apparait dans le substrat (2) pendant le processus de croissance d'epitaxie. En outre, une etape E est conduite au cours de laquelle le support (1) et/ou le substrat (2) sont usines avant ou pendant le processus de croissance d'epitaxie. La temperature dans des zones selectionnees du substrat (2) en est modifiee et un profil d'emission de l'empilement de couches semi-conductrices (20) dont la croissance d'epitaxie est terminee est lisse.