Geração de segundo harmônico em nanofios autossustendos de arsenetode gálio com politipismo

O entendimento das propriedades opticas nao lineares dos nanofios semicondutores e fundamental para pesquisas de materiais bases e fabricacao de componentes optoeletronicos em nanoescala. Um importante fenomeno de optica nao linear e a geracao de segundo harmonico, que ocorre em materiais nao centrossimetricos e tem sido aplicado no desenvolvimento de novas fontes de luz, uma vez que, e possivel gerar um feixe com o dobro da frequencia de bombeamento. Alem disso, a partir dessa tecnica e possivel obter informacoes cristalograficas de alguns materiais, pois o segundo harmonico e sensivel as simetrias do cristal. Neste trabalho investigamos a forte influencia do politipismo na geracao de segundo harmonico de um unico nanofio de arseneto de galio. O arseneto de galio e um semicondutor que exibe duas estruturas cristalinas: a blenda de zincoe a wurtzita, e e a coexistencia dessas duas fases ao longo do nanofio que nomeamos por politipismo. Medidas preliminares de espectroscopia de transmissao mostram que o nanofio contem segmentos de wurtzita, bem como segmentos de blenda de zinco comduas orientacoes cristalograficas diferentes. Ambas essas estruturas exibem respostas nao lineares de segunda ordem, que se comportam de forma distinta, segundo as simetrias de ponto do grupo cristalografico ao qual pertencem. Desse modo, para investigarcada fase cristalina, medidas de segundo harmonico resolvidas na polarizacao foram realizadas. E, a partir dos dados experimentais e das simulacoes teoricas, nos verificamos a presenca das duas fases. Alem disso, conseguimos determinar a fracao de volume dos segmentos de blenda de zinco orientados em direcoes diferentes, e tambem a razao entre os elementos do tensor susceptibilidade para a fase wurtzita.