Del de nitrure du groupe iii avec couche de metallisation non dopee et multipuits quantique

La presente invention concerne une structure de semi-conducteur destinee a des dispositifs d'emission de lumiere pouvant emettre dans la partie rouge a ultraviolet du spectre electromagnetique. Cette structure comprend une premiere couche de metallisation de type n d'AlxInyGa1-x-yN, ou 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y < 1 et (x + y) ≤ 1, une seconde couche de metallisation de type n d'AlxInyGa1-x-yN, ou 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y < 1 et (x + y) ≤ 1, cette seconde couche de metallisation etant egalement caracterisee par l'absence quasi totale de magnesium, une partie active situee entre lesdites premiere et seconde couches de metallisation sous la forme d'un multipuits quantique comportant une pluralite de couches de puits d'InxGa1-xN, ou 0 < x < 1, separees par une pluralite correspondante de couches barrieres d'AlxInyGa1-x-yN, ou 0 ≤ x ≤ 1 et 0 ≤ y ≤ 1, ainsi qu'une couche de type p d'un nitrure du groupe III, la seconde couche de metallisation de type n etant situee entre la couche de type p et le multipuits quantique, lesdites premiere et seconde couches de metallisation de type n possedant des bandes interdites respectives plus larges que la bande interdite des couches de puits. Dans des modes de realisation preferes, un super-reseau de nitrure du groupe III supporte le multipuits quantique.