Dispositif semi-conducteur electroluminescent au nitrure

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur electroluminescent au nitrure, comprenant une couche active d'une structure multiple a puits quantique, situee entre une region dopee n comprenant une pluralite de couches semi-conductrices au nitrure et une region dopee p comprenant une pluralite de couches semi-conductrices au nitrure. Ce dispositif possede une sortie d'emission lumineuse amelioree, les caracteristiques de la couche pouvant presenter un puits et pouvant etre appliquees a une grande plage de produits d'application varies. Un film multicouche comprenant deux couches de nitrure est forme dans au moins l'une des regions dopee n ou p.