Procede de production d'un cristal unique de silicium et plaquette de cristal unique de silicium

L'invention concerne un procede permettant de produire un cristal unique de silicium au moyen du procede de Czochralski, selon lequel un cristal germe est mis en contact avec une fonte de silicium (2) maintenue dans un creuset (32) et le cristal germe est tire tandis qu'il tourne, de maniere a faire croitre un cristal unique de silicium (1). Ledit procede est caracterise en ce que le creuset ne tourne pas ou tourne dans la meme direction que celle de la rotation du cristal germe, et un cristal croit dans une region sans defaut qui est une region N presente hors OSF permettant de generer une forme en anneau au cours d'un traitement d'oxydation thermique et qui est exempte de region defectueuse detectee par depot de cuivre. Selon un mode de realisation prefere, un champ magnetique horizontal est applique et le creuset tourne a un taux compris entre 0 et 2 rpm. Ce procede garantit une stabilite a un taux de production eleve et permet la production d'un cristal unique de silicium qui n'appartient pas a une des regions parmi une region V riche en lacunes de reseaux, une region OSF et une region I riche en silicium interstitiel. Ce procede permet d'etablir l'amelioration des caracteristiques electriques, telles qu'une tension de claquage du film d'oxyde, qui debouche sur la fabrication, a moindre cout, d'une plaquette de cristal unique de silicium exempte de defauts et presentant une tension de claquage elevee et d'excellentes caracteristiques electriques.