Tecnología H-GaAs II de Vitesse: especificaciones y reflexiones

En febrero del ano 93, varios centros de investigacion europeos entre los que se encontraba el Centro de Microelectronica Aplicada (CMA), participaron en el primer proyecto Multichip Digital en Arseniuro de Galio (GaAs), llevado a cabo por medio del CMP frances, utilizando el proceso tecnologico H-GaAs II de Vitesse. En este articulo pretendemos realizar una presentacion de esta tecnologia, asi como una serie de discusiones en torno a los margenes de ruido, tiempos de propagacion y potencia estatica. Sobre esta discusion se presenta un nuevo enfoque en la investigacion de relaciones entre dimensiones y tiempos de propagacion de la familia logica DCFL.