2～11GHz GaN HEMT功率MMIC

GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点，在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景，将成为下一代高频固态微波功率器件。功率微波单片集成电路（MMIC）具有可实现宽带匹配、体积小、一致性好等优点，尤其是其高输出功率密度和高输出阻抗的特点决定其特别适合宽带大功率MMIC的研制。最近，南京电子器件研究所成功研制出2～11GHz GaN HEMT功率MMIC。