Verfahren zur herstellung elektrisch halbleitender oder leitender schichten mit verbesserter leitfähigkeit

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektrisch halbleitender oder leitender Metalloxidschichten mit verbesserter Leitfahigkeit, die sich insbesondere fur die Herstellung flexibler Dunnfilmtransistoren eignen, auf damit hergestellte Metalloxidschichten sowie deren Verwendung zur Herstellung elektronischer Bauteile.