Room Temperature Ferromagnetism in Ga1-xHoxN （x=0.0 and 0.05） Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films

做的钬轧了冲淡的磁性的半导体薄电影被退火的热蒸发技术和随后的氨准备了。X 光检查衍射大小表明所有山峰属于完全六角形的 wurtzite 结构。表面形态学和作文分析被扫描电子显微镜学和精力执行散光谱学分别地。房间温度 Ga1xHoxN 的铁磁性的性质(x=0.0， 0.05 ) 电影用颤动被分析在房间温度的样品磁强计。磁性的大小证明 undoped 拍摄(即轧) 展出抗磁的行为，当惊讶做(Ga0.95Ho0.05N ) 电影展出了铁磁性的行为时。