Fin field effect transistors and methods of manufacture thereof

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Rippenfeldeffekttransistor (FinFET). Ein beispielhafter Aufbau eines FinFET (200) umfasst ein Substrat (202) mit einer oberen Oberflache (202s); eine erste Rippe (212_1) und eine zweite Rippe (212_2), die sich uber der oberen Substratoberflache (202s) erstrecken, wobei jede der Rippen (212_1, 212_2) eine obere Oberflache (222t_1, 222t_2) und Seitenwande (222s_1, 222s_2) aufweist; eine Isolationsschicht (217) zwischen der ersten und der zweiten Rippe (212_1, 212_2), die sich von der oberen Substratoberflache (202s) aus teilweise die Rippen (212_1, 212_2) hinauf erstreckt; ein erstes Gate-Dielektrikum (224a), das die obere Oberflache (222t_1) und die Seitenwande (222s_1) der ersten Rippe (212_1) mit einer ersten Dicke (t x ) bedeckt, und ein zweites Gate-Dielektrikum (234), das die obere Oberflache (222t_2) und Seitenwande (222s_2) der zweiten Rippe (212_2) mit einer zweiten Dicke (t 2 ), die kleiner als die erste Dicke (t x ) ist, bedeckt; und einen leitenden Gatestreifen (226), der das erste Gate-Dielektrikum (224a) und das zweite Gate-Dielektrikum (234) uberlagert oder uberliegt.