A stabilized composition for chemical mechanical polishing method for polishing a substrate and

Eine Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren, umfassend als Ausgangs-Komponenten: Wasser; 0,1 bis 40 Gew.-% Schleifmittel mit einer mittleren Teilchengrose von 5 bis 150 nm; 0,001 bis 1 Gew.-% von einer Adamantyl-Substanz gemas der Formel (II); 0 bis 1 Gew.-% diquaternare Substanz gemas der Formel (I); und 0 bis 1 Gew.-% von einer quaternaren Ammonium-Verbindung wird bereitgestellt. Auch bereitgestellt wird ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren unter Verwendung der Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren.