수직형 갈륨나이트라이드 트랜지스터 및 그 제조방법

직형 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터는, 기판과, 기판 위의 버퍼층과, 버퍼층 위에서 버퍼층의 일부 표면을 노출시키는 마스크층패턴과, 마스크층패턴 및 버퍼층의 노출 표면 위의 갈륨나이트라이드층과, 갈륨나이트라이드층의 일부 표면 위의 제1 드리프트층과, 제1 드리프트층 위에서 드리프트층의 일부 표면을 노출시키는 전류차단층패턴과, 전류차단층패턴에 의해 노출되는 제1 드리프트층 위의 제2 드리프트층과, 전류차단층패턴 위의 채널층과, 채널층으로 둘러싸이도록 전류차단층패턴 위에 배치되는 도우너층과, 제2 드리프트층 위에서 게이트절연층을 개재하여 배치되는 게이트전극과, 도우너층과 컨택되도록 배치되는 소스전극과, 그리고 제1 드리프트층과 이격되도록 갈륨나이트라이드층 위에 배치되는 드레인전극을 포함한다.