Substrat en carbure de silicium, dispositif semi-conducteur, et procédés de fabrication associés

L'invention concerne un substrat en carbure de silicium (1) pour lequel l'angle entre les projections orthographiques de la normale a une surface principale (1A) et de la normale au plan {03-38}, et un plan contenant la direction et la direction est de 0,5° ou moins. En consequence, ledit substrat de carbure de silicium (1) presente a la fois une mobilite de canal de dispositif semi-conducteur amelioree et une stabilite des proprietes.