Dispositif d'interconnexions de circuits intégrés semi-conducteurs et son procédé de fabrication

Procede de fabrication de circuits integres dans lequel les interconnexions sont formees de lignes conductrices comportant du silicium polycristallin et un siliciure de metal. La source (18) et le drain (19) d'un transistor a effet de champ sont recouverts des couches (2) en silicium polycristallin, (3) en siliciture metallique et (5) en oxyde. La region de canal (6) est revetue d'une couche d'oxyde (10) recouverte d'une electrode de porte (20, 21) en polysilium/siliciure. De telles lignes conductrices composites presentent l'avantage d'avoir une conductivite elevee et une capacite parasite reduite.