Formation de films de nitrure de titane au moyen d'un processus de depot cyclique

L'invention concerne des procede permettant de deposer des films de nitrure de titane (TiN) sur un substrat. Ces films de nitrure de titane (TiN) peuvent etre formes au moyen d'un processus de depot cyclique, par adsorption, de maniere alternative, d'un precurseur contenant du titane et d'un gaz NH3 a la surface dudit substrat. Le precurseur contenant du titane et le gaz NH3 reagissent pour former la couche de nitrure de titane (TiN) sur le substrat. Les films de nitrure de titane (TiN) sont compatibles avec des processus de production de circuits integres. Un processus de production de circuit integre permet de produire une structure d'interconnexion. Les films de nitrure de titane peuvent en outre servir d'electrode pour un condensateur a structure tridimensionnelle tel que des condensateurs a tranchee ou des condensateurs de type couronne.