PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS SELON LA TECHNIQUE DE L'APPLICATION D'UN REVETEMENT EN Ti

L'invention concerne un transistor (10) et un procede de realisation de celui-ci. Le transistor (10) comprend un substrat (12) sur lequel est appliquee une couche isolante (46) pourvue d'une ouverture (62) s'etendant au moins jusqu'au substrat (12). Une electrode de grille (16) est placee dans l'ouverture (62). Une premiere region de source/drain (24) et une seconde region de source/drain (26) sont placees dans le substrat (12), a une certaine distance l'une de l'autre. Une couche dielectrique de grille (14) a oxyde metallique est placee entre l'electrode de grille (16) et le substrat (12). L'electrode de grille (16) peut etre constituee d'un materiau resistant aux temperatures elevees tel que du tungstene. La couche dielectrique de grille (14) peut etre constituee d'un materiau a constante dielectrique (K) elevee presentant une faible epaisseur equivalente d'oxyde, tel que du TiO2.