半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法

【課題】高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス（ＣＬ）を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。 【解決手段】表面側にシリコン層を有する基板２をステージ３に載置する工程と、基板２を温度１００Ｋ〜４Ｋに冷却する工程と、ステージ３と基板表面を照射するための電子線とのいずれか一方を２次元的に走査して、基板表面の所定領域内を電子線により順次照射する工程と、基板表面から発生したＣＬ光のうちの波長１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの近赤外光を検出すると共に、検出位置確認のために、基板表面から発生した２次電子を検出する工程と、検出された２次電子により基板表面の画像である２次電子像を表示すると共に、２次電子像に対応させて、検出された近赤外光の強度を表示し、基板表面で近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程とを順に実行している。 【選択図】 図１