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バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
2006
ou syun okano
takasi izumida
hirohisa kawasaki
akiumi kaneko
atusi yagisita
takasi ei kanamura
masaki kondou
sanae itou
sin syun aoki
kiyotaka miyano
taka minoru ono
katunori yahasi
kenzi iwade
sou otoko kubota
takasi ya matusita
itirou mizusima
satosi inaba
kazunari isimaru
kyouiti su kuro
kazuhiro eguti
syou takasi tunasima
hidemi isiuti
Keywords:
Electronic engineering
CMOS
Materials science
Optoelectronics
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