Procédés de fabrication d'une cellule solaire à composé iii-v en couche mince

La presente invention concerne l'utilisation d'un decollement epitaxique dans lequel une couche sacrificielle est integree dans la croissance epitaxiale entre le substrat et une cellule solaire a compose III-V en couche mince. Afin d'assurer le support de la cellule solaire a compose III-V en couche mince en l'absence du substrat, une couche de support est appliquee sur une surface de la cellule solaire a compose III-V en couche mince avant qu'elle ne soit separee du substrat. Afin de separer la cellule solaire a compose III-V en couche mince du substrat, la couche sacrificielle est retiree dans le cadre du decollement epitaxique. Une fois separe de la cellule solaire a compose III-V en couche mince, le substrat peut ensuite etre reutilise pour produire une autre cellule solaire a compose III-V en couche mince.