Hydrogen segregation and trapping in the Al/Si(111) interface.

Mesure quantitative du piegeage de l'hydrogene dans une interface solide-solide non perturbee. Le piegeage et la segregation de l'hydrogene surviennent a l'interface semicoherente entre les supports Si(111) et les couches d'Al d'epaisseur 1500 A. Les techniques d'analyse des faisceaux ioniques sont utilisees pour mesurer les profils de profondeur de l'hydrogene piege. L'hydrogene est introduit par implantation d'ions de 500 eV dans la surface de la couche Al pour eviter tout dommage d'irradiation a l'interface. La quantite d'hydrogene piege croit avec la densite de l'implantation, sans saturation. Le recuit entraine la liberation d'au moins 70% de l'hydrogene piege a 390 K. L'analyse des donnees des recuits sont utilisees pour deduire l'enthalpie de liaison et l'entropie de H dans l'interface