Problems of Surface Morphology and Layer Deposition during Plasma Etching Processes (II) Si‐etching in CF4‐, CF4/O2‐and CF4/H2 Plasmas

The plasma etching of Si in CF4-, CF4/O2-and CF4/H2 plasmas was investigated in dependence on the etching gas, the plasma conditions (pressure, power density) and etching time in different reactors. A roughening of the surface and the formation of a “semi-amorphous” surface layer with a power-like morphology was detected by TEM-and RHEED methods. It is supposed that the surface layer has a fundamental consequence as an intermediate state in the etching mechanism. Das plasmachemische Atzen von Si in CF4-, CF4/O2- und CF4/H2- Plasmen fuhrt in Abhangigkeit vom Atzgas, den Plasmabedingungen (Druck, Leistung) und der Atzzeit zur Aufrauhung der Oberflache, die mit zunehmender Atzzeit mit der Ausbildung einer Oberflachenschicht von pulverartiger Morphologie und “semiamorpher” Struktur verbunden ist. Die durch TEM- und RHEED-Untersuchungen charakterisierte Zwischenschicht wird als Zwischenstadium im Atzmechanismus angenommen.