A Study of Silicon Incorporation in GaAs MOCVD Layers

Etude de l'incorporation de Si dans des couches de GaAs obtenues par depot chimique en phase vapeur d'organo-metalliques. Etude de l'influence des parametres de croissance, en particulier l'influence des sites d'adsorption a la surface, ainsi que de la temperature de croissance et de la stœchiometrie de la phase gazeuse, sur l'incorporation de Si