Composés métalliques de nickel et gallium sur GaAs par codéposition en ultravide

Nous avons etudie la codeposition de couches minces de nickel et de gallium sur des substrats de GaAs (001) et GaAs (111) dans la perspective d'une epitaxie d'un compose metallique, si possible thermodynamiquement stable. Les codepots ont ete realises a temperature ambiante dans un bâti d'epitaxie par jets moleculaires equipe d'un canon a electrons pour l'evaporation du nickel. Quatre techniques ont ete mises en œuvre pour controler la composition; deux ex situ: la retrodiffusion d'ions He + de 2 MeV (RBS), qui nous a servi de reference, et l'analyse X dans un microscope electronique a balayage; et deux in situ: les spectroscopies de photo-emission electronique X et UV (XPS et UPS). En UPS nous avons utilise d'une part l'evolution de la forme de la bande de valence en fonction de la composition, d'autre part le deplacement chimique du doublet Ga 3d par rapport au niveau de Fermi du au transfert de charge entre Ni et Ga. Les couches deposees ont ete caracterisees par diffraction X sur goniometre a poudre θ-2θ equipe d'un monochromateur arriere. Les caracterisations electriques (R □ ) et par canalisation d'ions He + (χ min ) montrent que la resistivite est minimale et la canalisation maximale pour les couches les mieux texturees, correspondant aux composes definis NiGa et Ni 2 Ga 3 . Ces composes ont des conductivites du meme ordre de grandeur que les siliciures de metaux de transition