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Acemap > Paper > 다열 공간변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성

다열 공간변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성

2016 
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