γ-Irradiation Effect on Electronic Properties in Hydrogenated Amorphous Silicon

γ- irradiation effect on electron transport and photoelectric properties in glow-discharge hydrogenated amorphous silicon is investigated mainly by means of time-of-flight measurement. Although the electron transport changes from non-dispersive to dispersive when the total dose of γ-rays is increased, the electron mobility at room temperature is affected only slightly by γ-irradiation. The γ-irradiation introduces dominantly Si dangling bonds, allowing to study the recombination characteristic as a function of dangling bond density under controllable conditions. It is found that the electron recombination lifetime is inversely proportional to the dangling bond density. Hauptsachlich mittels Flugzeitmessungen wird der γ-Strahlungseinflus auf den Elektronentransport und die photoelektrischen Eigenschaften von hydrogenisiertem, amorphem Glimmentladungs-Silizium untersucht. Obwohl sich der Elektronentransport von nicht-dispersiv zu dispersiv andert, wenn die Gesamtdosis der γ-Strahlen gesteigert wird, wird die Elektronenbeweglichkeit bei Zimmertemperatur nur schwach durch die γ-Strahlung beeinflust. Die γ-Bestrahlung fuhrt hauptsachlich Si-dangling-bonds ein, und erlaubt, die Rekombinationscharakteristik in Abhangigkeit von der Dichte der Dangling-bonds unter kontrollierbaren Bedingungen zu untersuchen. Es wird gefunden, das die Elektronenrekombinationslebensdauer invers proportional zur Dichte der Dangling-bonds ist.