Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation par lasers à excimères du silicium amorphe pour les applications transistors en couches minces

Resume: L'optimisation des technologies de fabrication de transistors en couches minces au silicium polycristallin par recuit laser a excimeres, suppose une bonne connaissance des cinetiques de fusion et solidification rapides que l'on peut simuler grâce au developpement d'un modele thermique, base sur la resolution de l'equation de la chaleur. Les simulations presentees ici sont realisees pour differents lasers dans le domaine de la nanoseconde sur des couches de silicium amorphe deposees sur verre avec une couche tampon de SiU2-