Procédé de fabrication d'élément magnétorésistif

L'invention porte sur un procede de fabrication d'un element magnetoresistif, dans lequel une couche ferromagnetique peut etre gravee de facon tres precise par amelioration de la selectivite entre la couche ferromagnetique et une couche isolante non magnetique. Dans le procede de fabrication d'un element magnetoresistif, la seconde couche ferromagnetique (27) sur la couche MgO (couche isolante non magnetique) (26) est gravee chimiquement au moyen d'une gravure par ions reactifs (RIE) utilisant un plasma de gaz chlore. La seconde couche ferromagnetique (27) est gravee parfaitement, tout en supprimant une gravure de la couche MgO (26), par maintien de la temperature d'un substrat a 100-250°C. La seconde couche ferromagnetique (27) peut ainsi etre gravee tout en assurant une haute selectivite entre la seconde couche ferromagnetique et la couche MgO (26).