Traitement et dépôt en surface pour réduire le dégazage

La presente invention concerne un procede de formation d'une couche de dielectrique. Le procede comprend tout d'abord le depot d'une couche contenant du silicium, de l'azote et de l'hydrogene (polysilazane) par depot chimique en phase vapeur (CVD) d'un composant radicalaire. La couche contenant du silicium, de l'azote et de l'hydrogene est formee par la combinaison d'un precurseur de radicaux (excite dans un plasma eloigne) avec un precurseur de silicium ne contenant pas de carbone et non excite. Une couche de coiffe a base d'oxyde de silicium peut etre formee a partir d'une partie de la couche contenant du silicium, de l'azote et de l'hydrogene et ne contenant pas de carbone pour eviter l'evolution au cours du temps des proprietes de la couche sous-jacente avant la conversion en oxyde de silicium. En variante, la couche de coiffe a base d'oxyde de silicium est formee sur la couche contenant du silicium, de l'azote et de l'hydrogene. Les deux procedes de formation impliquent la formation d'un plasma local au sein d'une region de traitement de substrat.