新型近紫外激发单一基质荧光粉Sr2V2O7:Ln(Ln=Eu3+, Dy3+, Sm3+, Tb3+)的研究

为了研制一种具有优越稳定性能、易于合成、吸收和近紫外芯片匹配、发光效率高的LED用新型单一基质的暖白光荧光粉, 采用高温固相反应法在空气氛围下制备了单一基质的Sr 2 V 2 O 7 (SVO):Ln(Ln=Eu 3+ , Sm 3+ , Dy 3+ , Tb 3+ )系列白光LED荧光粉. 利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱分别研究了样品的晶体结构, 发光特性和能量传递机理, 在350 nm的紫外激发下SVO基质自身发射黄绿色的宽光谱. 荧光光谱的研究表明所有掺杂的样品都有一个基质电荷跃迁引起的近紫外激发宽带, 而且SVO基质与稀土离子Eu 3+ , Dy 3+ , Sm 3+ , Tb 3+ 之间都存在着能量传递. 此外, 根据Dexter理论, 基质和4种稀土离子之间的能量传递机理都是电偶极−偶极相互作用. 研究结果表明, 通过稀土掺杂可以增强荧光强度、调控发光颜色、改善色温、提高显色指数, SVO:Ln(Ln=Eu 3+ , Dy 3+ , Sm 3+ , Tb 3+ )是适合近紫外芯片激发的单一基质白光荧光粉.