Dispositif de diode émettrice de lumière à semi-conducteur à base de nitrure

La presente invention concerne un dispositif (1) de diode emettrice de lumiere a semi-conducteur a base de nitrure comprenant une couche semi-conductrice (12) a base de nitrure comportant une surface inferieure et une surface superieure, tout en contenant a l'interieur une couche emettrice de lumiere (12b). Un substrat de support (11) compose d'un metal est joint au cote de la surface interieur de la couche semi-conductrice a base de nitrure (12). La surface inferieure de la couche semi-conductrice a base de nitrure (12) est accompagnee d'un renfoncement (A1) reflechissant la lumiere qui permet de refleter la lumiere generee dans la couche emettrice de lumiere (12b) vers le cote de la surface superieure. Etant donne que la lumiere qui se propage dans le sens de la couche au sein de la couche semi-conductrice a base de nitrure (12) parmi la lumiere generee dans la couche emettrice de lumiere (12b), change de trajectoire en etant refletee par le renfoncement qui reflechit la lumiere (A1), le rapport de la lumiere qui entre dans la surface superieure de la couche semi-conductrice (12) dans l'angle critique est augmente dans ce dispositif a diode emettrice de lumiere de semiconducteur a base de nitrure (1). Par consequent, l'efficacite de decouplage de lumiere de ce dispositif (1) est ameliore lorsqu'on le compare aux dispositifs similaires conventionnels.