Group III-nitride based transistor enhancement type

Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl

Group III-nitride based transistor enhancement type

2015

Oliver Haeberlen
Clemens Ostermaier
Gerhard Prechtl

Ein Gruppe III-Nitrid basierter Transistor vom Anreicherungstyp umfasst eine Mehrfachheteroubergangs-Finnenstruktur. Eine erste Seitenflache der Mehrfachheteroubergangs-Finnenstruktur ist durch eine Gruppe III-Nitrid-Schicht des p-Typs bedeckt.

Keywords:

Transistor
Electronic engineering
Materials science
Nitride
Optoelectronics

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