Condensateur en tranchee et son procede de production

La presente invention concerne un condensateur en tranchee a utiliser dans une cellule de memoire DRAM, ainsi que son procede de production. Le condensateur en tranchee selon l'invention comprend une electrode de condensateur inferieure (10), un dielectrique de memoire (12) et une electrode de condensateur superieure (18), lesquels sont, au moins partiellement disposes dans une tranchee (5). L'electrode de condensateur inferieure (10) est, dans la zone inferieure de la tranchee, adjacente a une paroi de cette tranchee, tandis que dans la zone superieure de la tranchee se trouve une couche de separation (9) constituee d'un materiau isolant, qui est adjacente a une paroi de la tranchee. L'electrode superieure (18) comprend au moins deux couches (13, 14, 15), au moins une de ces couches etant metallique et ladite electrode superieure ne devant pas etre constituee de deux couches dont la couche inferieure est en siliciure de tungstene et la couche superieure est en silicium polycristallin dope. Les couches (13, 14, 15) de l'electrode superieure s'etendent respectivement le long des parois et du fond de la tranchee (5) au moins jusqu'au bord superieur de la couche de separation (9).